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单片机存储器扩展PPT

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存储器
资料大小:1680KB(压缩后)
文档格式:PPT(35页)
资料语言:中文版/英文版/日文版
解压密码:m448
更新时间:2023/8/3(发布于上海)

类型:金牌资料
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文本描述
第5章 单片机存储器扩展
存储器是用来存储二值数字信息的大规模集成电路,是进一步完善数字系统功能的重要部件。它实际上是将大量存储器按一定规律结合起来的整体。
读写存储器又称随机存储器。
读写存储器的特点是:在工作过程中,既可从存储器的任意单元读出信息,又可以把外界信息写入任意单元,因此它被称为随机存储器,简称 RAM 。
5.1 随机存取存储器(RAM)
第5章 单片机存储器扩展
5.1 随机存取存储器(RAM)
RAM 按功能可分为 静态、动态两类
RAM 按所用器件又可分为双极型和 MOS型两种
1.双极型:由TTL电路组成基本存储单元,存取速度快。2.MOS型:由CMOS电路组成基本存储单元,集成度高、功耗低。
1.SRAM:静态RAM。存储单元使用双稳态触发器,可带电信息可长期保存。2.DRAM: 动态RAM。使用电容作存储元件,需要刷新电路。集成度高,反应快,功耗低,但需要刷新电路。
第5章 单片机存储器扩展
5.1.1 RAM的电路结构与工作原理
1. RAM存储单元
(1) 静态RAM存储单元(位)
X:行选择线
Y:列选择线
5.1 随机存取存储器(RAM)
5.1.1 RAM的电路结构与工作原理
1. RAM存储单元
(1) 静态RAM存储单元(位)
(2) 动态RAM存储单元(位)
四管MOS动态存储单元
电容作存储元件
设:C1上充有电荷,且C1上的电压达到T1的开启电压,则T1导通,Q为低电平0,它使C2放电,使C2上的电压为0,因此T2截止,为高电平1,这是存储单元的一个稳定状态,表示存储单元存储了数据0。
电容有漏电流,需定时刷新。
5.1.1 RAM的电路结构与工作原理
1. RAM存储单元
2. RAM的基本结构
存储器容量表示方法:mkXn
存储器容量表示方法:mkXn
8kX1 ?
数据线:1地址线:13
1kX4 ?
数据线:4地址线:10
5.1.1 RAM的电路结构与工作原理
5.1 随机存取存储器(RAM)
5.1.2 RAM举例
6116容量:?
2kX8
6264容量:?
8kX8
5.1.1 RAM的电路结构与工作原理
5.1 随机存取存储器(RAM)
5.1.2 RAM举例
5.1.3 RAM存储容量的扩展
存储器容量表示方法:mkXn
1. 位数的扩展
如:将2114(1K×4) 构成 1K × 8
控制线、地址线并联,数据线扩展。
5.1.3 RAM存储容量的扩展
1. 位数的扩展
2. 字数的扩展
如:用2114(1K×4) 构成 4K × 4
(1). 访问4096个单元,必然有12根地址线;
(2). 访问RAM2114,只需10根地址线,尚余2根地址线 ;
(3). 设法用剩余的2根地址线去控制4个2114的片选端 。