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> “CFB0C9B9”相关资料
文件名称
资料专栏
专业文档
上传时间
G
B
_12445_2-1
9
9
0
高强度合金悬臂弯曲(
C
ANT)预裂纹试样应力腐蚀试验方法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
_12445_1-1
9
9
0
高强度合金双悬臂(D
C
B
)试样应力腐蚀试验方法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
_1122
0
_1-1
9
8
9
土壤中铀的测定_
C
L-52
0
9
萃淋树脂分离2-(5-溴-2-吡啶偶氮)-5-二乙氨基苯酚分光光度法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
Z_1
9
76
0
-2
0
0
5控制与通信总线
C
C
-Link规范PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
Z_18
9
14-2
0
0
2信息技术_软件工程_
C
ASE工具的采用指南PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
ZT_148-2
0
0
2用于中子测井的
C
R3
9
中子剂量计的个人剂量监测方法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_
9
9
52-2
0
0
8信息技术_数据通信_15插针DTED
C
E接口连接器和接触件编号分配PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_
9
9
5
0
-1
9
88数据通信_37插针及
9
插针DTE_D
C
E接口连接器和插针分配PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_
9
336-2
0
1
0
直接黑L-3G
B
(
C
_I_直接黑1
9
)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_73
9
7_5-2
0
0
0
非广播磁带录象机测量方法第5部分_宽带录象机包括具有Y
C
视频连接器的宽带录象机(PALNTS
C
)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_72
0
3-1
9
87_电子元器件详细规范_半导体集成电路
C
E1
0
11
0
型E
C
L双3输入或门(3输出)(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_7
0
8
9
-1
9
86_电子元器件详细规范半导体集成电路
C
J
0
454型双外围正蔌非驱动器PD
F
城建标准
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_7
0
83-1
9
86_电子元器件详细规范_半导体集成电路
C
H2
0
1
0
型HTL四2输入与非门(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_7
0
82-1
9
86_电子元器件详细规范_半导体集成电路
C
H2
0
0
9
型HTL三3输入与非门PD
F
(2)
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_7
0
81-1
9
86_电子元器件详细规范_半导体集成电路
C
H2
0
0
8型HTL双4输入与非门(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_7
0
7
9
-1
9
86_电子元器件详细规范_半导体集成电路
C
H2
0
0
1型HTL双4输入与非门(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_6
0
2
0
-1
9
9
9
工业用丁二烯中特丁基邻苯二酚(T
B
C
)的测定_分光光度法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_6
0
2
0
-1
9
85_工业用丁二烯中特丁基邻苯二酚(T
B
C
)[4-(1,1-二甲基乙基)-1,2-苯二酚]_的测定_分光光度法PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_582
0
_3-1
9
86_电子元器件详细规范_3DG2
0
1
C
型环境额定高低频放大双极型晶体管(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_582
0
_2-1
9
86_电子元器件详细规范_3DG111
B
、3DG111
C
、3DG111E、3DG111
F
型环境额定高低频放大双极型晶体管(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_582
0
_1-1
9
86_电子元器件详细规范_3DG13
0
A、3DG13
0
B
、3DG13
0
C
、3DG13
0
D型环境额定高低频放大双极型晶体管(可供认证用)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_4
9
68-2
0
0
8火灾分类-标准分享网(www_bzfxw_com)PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_437
9
-1
9
84_半导体集成电路_cμ8
0
8
0
_cμ8
0
85微处理机电路系列和品种PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_4378-1
9
84_半导体集成电路_cμ68
0
0
_cμ68
0
9
微处理机电路系列和品种PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_41
0
2_12-1
9
83_高钛渣、金红石化学分析方法_EGTA_和_
C
yDTA容量法测定氧化钙和氧化镁量PD
F
通信标准
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_338
9
_3-2
0
0
1压电陶瓷材料性能试验方法_居里温度Tc的测试PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_312
9
8-2
0
14T
C
4钛合金厚板PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_312
9
7-2
0
14T
C
4_ELI钛合金板材PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_25
9
34_3-2
0
1
0
高纯金化学分析方法第3部分：乙醚萃取分离I
C
P-AES法_测定杂质元素的含量PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
G
B
T_25
9
34_2-2
0
1
0
高纯金化学分析方法第2部分：I
C
P-MS-标准加入校正-内标法_测定杂质元素的含量PD
F
其他行标
设计研发标准
2022/4/16
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