杨继深 2002年8月
第三章 电磁屏蔽技术
屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计
杨继深 2002年8月
电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1
屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽,电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量: SE = 20 lg ( E1/ E2 ) dB
杨继深 2002年8月
实心材料屏蔽效能的计算
入射波
场强
距离
吸收损耗A
R1
R2
SE ＝ R1 ＋ R2 ＋ A＋B
＝ R＋ A＋B
B
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吸收损耗的计算
t
入射电磁波E0 剩余电磁波E1
E1 = E0e-t/?
A ＝ 20 lg ( E0 / E1 ) = 20 lg ( e t / ? ) dB
0.37E0 ?
A ＝ 8.69 ( t / ? ) dB
A = 3.34 t ? f ?r?r dB
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趋肤深度举例
杨继深 2002年8月
反射损耗
R ＝ 20 lg
ZW
4 Zs
反射损耗与波阻抗有关，波阻抗越高，则反射损耗越大。
ZS = 3.68 ?10-7? f ?r/?r
远场：377?
近场：取决于源的阻抗
同一种材料的阻抗随频率变
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不同电磁波的反射损耗
远场: R ＝ 20 lg
377
4 Zs
4500 Zs = 屏蔽体阻抗， D = 屏蔽体到源的距离（m） f = 电磁波的频率（MHz）
2 D f
D f Zs
Zs
电场: R ＝ 20 lg
磁场: R ＝ 20 lg
dB
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影响反射损耗的因素
150 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M 100M
平面波
3? 108 / 2?r
f
R(dB)
r = 30 m
电场r = 1 m
靠近辐射源
r = 30 m
磁场 r = 1 m
靠近辐射源
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综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
150 250 平面波0 0.1k 1k 10k 100k 1M 10M
高频时 电磁波种类 的影响很小
电场波 r = 0.5 m
磁场波 r = 0.5 m
屏蔽效能（dB）
频率
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多次反射修正因子的计算
电磁波在屏蔽体内多次反射，会引起附加的电磁泄漏，因此要对前面的计算进行修正。 B = 20 lg ( 1 - e -2 t / ? )
说明： B为负值，其作用是减小屏蔽效能 当趋肤深度与屏蔽体的厚度相当时，可以忽略 对于电场波，可以忽略