化学机械抛光（ CMP ）材料 2020年 行业研究报告 简版 目录 1 CMP材料材行业概述 CMP材料产业链分析 2 3 目录 CMP材料市场分析 4 CMP材料企业分析 5 CMP材料未来发展趋势 Copyright ? xincailiao 内部资料，仅供会员学习使用 CMP材料行业概述 CMP抛光材料简介 ?化学机械抛光(CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆全局均匀平坦化的关键工艺，用较软的材料 来进行抛光以实现高质量的表面抛光， 是目前唯一能兼顾表面的全局和局部平坦化的技术。 ?抛光材料是CMP工艺过程中必不可少的耗材。根据功能的不同，可划分为抛光垫、抛光液、调 节器以及清洁剂等，其中以抛光液和抛光垫为主。 抛光材料分类及特点 CMP材料分类及占比 5% 4% 材料 类型 优点 材质 包括各种粗布垫、纤维织物垫、 聚乙烯垫等 硬质 比较好地保证表面的平整度 9% 抛光液 抛光垫 调节器 清洁剂 其他 抛光垫 可获得加工变质层和表面粗糙 包括聚氨酯垫、细毛毡垫、各种 软质 酸性 49% 度都很小的抛光表面 绒毛布垫等 具有可溶性好、酸性范围内氧 常用于抛光金属材料，例如铜、 化剂较多、抛光效率高等优点 钨、铝、钛等 33% 抛光液 具有腐蚀性小、选择性高等优 常用于抛光非金属材料、例如硅、 碱性 点 氧化物及光阻材料等 来源：安集科技招股说明书，赛瑞研究 Copyright ? xincailiao 内部资料，仅供会员学习使用 来源：赛瑞研究 CMP材料行业概述 CMP抛光原理 ?CMP利用晶圆和抛光头之间的相对运动来实现平坦化，抛光头以一定压力压在旋转的抛光垫上， 研磨液在硅片表面和抛光垫之间流动，然后研磨液在抛光垫的传输和离心力的作用下，均匀分 布其上，在硅片和抛光垫之间形成一层研磨液液体薄膜。 ?化学过程： 研磨液中的化学品和 硅片表面发生化学反应，生成比 较容易去除的物质 ?物理过程： 研磨液中的磨粒和硅 片表面材料发生机械物理摩擦， 去除化学反应生成的物质 来源：SENSOFAR，赛瑞研究 Copyright ? xincailiao 内部资料，仅供会员学习使用 CMP材料行业概述 CMP抛光制程 ?化学机械抛光(CMP)技术主要应用在单晶硅片的镜面抛光和金属布线层的抛光中。 单晶硅制程 拉晶片 测试 磨外圆 切片 倒角 磨削或研磨 CMP 制图案 刻蚀 扩散 氧化 检测 沉积 CMP 前半制程 贴膜 背磨 固定 划片 封装 后半制程 Copyright ? xincailiao 内部资料，仅供会员学习使用