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第三章 ARM芯片与开发板实例
主讲 安涛
3.3 通用的ARM微处理器介绍
现将几种常用芯片的Samsung S3C44B0X （ARM7TDMI内核）、 S3C2410B （ARM920T核）和Intel PXA255/27X（Xscale核）以及Freescale?i.MX27微处理器内部结构、特点及功能介绍一下。
3.3.1 Samsung S3C44B0X的内部结构
Samsung S3C44B0X微处理器是韩国三星公司专为手持设备和一般应用提供的高性价比和高性能的微处理器解决方案，它使用ARM7TDMI核，工作在66MHZ。为了降低系统总成本和减少外围器件，这款芯片中还集成了下列部件：
3.3.1 Samsung S3C44B0X的内部结构
8KB Cache、外部存储器控制器、LCD控制器、4个DMA通道、2通道UART、1个多主I2C总线控制器、1个IIS总线控制器，5通道PWM定时器及一个内部定时器、71个通用I/O口、8个外部中断源、实时时钟、8通道10位ADC等。
S3C44B0X系统板的结构图
S3C44B0X的系统板
S3C44B0X系统板结构组成
LCD与触摸屏接口 ?USB HOST模块接口 ?JTAG调试接口 ?IIC 接口的EEPROM ?4×4矩阵键盘接口 ?LED指示灯 ?8段数码管电路
S3C44B0X系统板结构组成
S3C44BOX微处理器 ?电源电路 ?复位逻辑 ?晶振电路 ?系统配置 ?FLASH和SDRAM 的设计 ?UART接口
以上部分可根据实际需要自由裁减
3.3.1 Samsung S3C44B0X的内部结构
1）S3C44B0X 结构主要特点 16/32位RISC结构和带ARM7DMI CPU核的功能强大的指令集； Thumb协处理器在保证性能的前提下使代码密度最大； 片上ICE中断调试JTAG调试方式； 32?8位硬件乘法器。
3.3.1 Samsung S3C44B0X的内部结构
2）系统管理--支持大/小端模式 地址空间：每个Bank32MB（一共256MB）； 每个Bank支持8/16/32位数据总线编程； 固定的Bank起始地址和7个可编程的Bank； 1个起始地址和尺寸可编程的Bank； 8个内存Bank:：６个用于ROM、SRAM；2个用于ROM/SRAM/DRAM；
3.3.1 Samsung S3C44B0X的内部结构
所有内存Bank的可编程寻址周期； 在能量低的情况下支持DRAM/SDRAM自动刷新模式； 支持DRAM的非对称/对称寻址； 缓冲内存和内部SRAM 4路带8K字节的联合缓存； 不使用缓存的0/4/8K内容SRAM 伪LRU（最近最少使用）的替代算法。。。以下略