首页 > 资料专栏 > 标准 > 行业标准 > 地方标准 > DB52T_1104-2016半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法PDF

DB52T_1104-2016半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法PDF

威宁电子
V 实名认证
内容提供者
热门搜索
DB52T 半导体器件
资料大小:1231KB(压缩后)
文档格式:PDF
资料语言:中文版/英文版/日文版
解压密码:m448
更新时间:2022/5/18(发布于广东)

类型:积分资料
积分:10分 (VIP无积分限制)
推荐:升级会员

   点此下载 ==>> 点击下载文档


文本描述
ICS31.080.01DB52L 40贵州省地方标准DB52/T 1104—2016 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 Junction- to- case thermal resistance transient test method of semiconductor devices (JESD 51-14 2010Transient Dual Interface Test Method for the Measurement of the Thermal Resistance Junction to Case of Semiconductor Devices with Heat Flow Trough a Single PathMOD) 2016-04-01发布2016-10-01实施贵州省质量技术监督局发 布 DB52/T 1104—2016目次1范围 .............................................................................. 12规范性引用文件 .................................................................... 13术语和定义 ........................................................................ 14符号和缩略语 ...................................................................... 15结-壳热阻测量 ..................................................................... 16需报告信息 ........................................................................ 6附录A(规范性附录)基于热阻抗曲线Zth(J-C)分离点确定Rth(J-C)....................... 7I DB52/T 1104—2016前言本标准按照GB/T 1.1-2009 《标准化工作导则 第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草请注意:本标准的某些内容可能涉及专利内容本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任本标准使用重新起草法修改采用 JESD51-142010 《测量具有单一热流路径的半导体器件结壳热阻的瞬态双界面测试法》本标准与JESD 51-142010相比在结构上增加了一章(4)删除了一章(7)本标准与JESD 51-142010的技术性差异及其原因如下:——将JESD51-142010 第4.2.1瞬态双界面测量原理进行精简后写入本标准5.4瞬态双界面测量中以增加可操作性;——删除了JESD51-142010 第4.2.2温度控制散热器部分以适应我国的技术条件;——将JESD 51-142010第4.2部分定义的无/有导热硅脂或热油两种测试状态重新定义为低/高导热两种测试状态以适应我国的技术条件;——根据JESD51-142010测试原理本标准增加了测试原理图测试时序图以增加可操作性;——本标准对两条瞬态热阻抗曲线的分离点确认和结-壳热阻的计算只规定原理不限制实现方法以适应我国的技术条件本标准做了下列编辑性修改:——将标准名称修改为《半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法》;——将JESD51-142010第5章调整为本标准资料性附录A;——关于规范性引用文件调整如下:﹒删除了JESD51-142010第2章 [N1] [N2] [N3][N4] [N5][N6] [N7];﹒增加引用了GB/T 11499;﹒增加引用了GB/T 14862;——删除了JESD51-142010附录ABCD本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院提出本标准由贵州省质量技术监督局归口本标准起草单位:贵州省机械电子产品质量监督检验院中国振华集团永光电子有限公司本标准主要起草人:李明贵禹忠付悦岳萍刘德军钟健思曹珩章俊华林小文邵建平马静II