ICS31.080.10 DB52 L 41 贵州省地方标准 DB 52/T 860—2013 5KP系列硅瞬态电压抑制二极管详细规范 Detail specification for silicon transient voltage supprossor diode of series5KP 2013-12-06发布 2014-02-01实施 贵州省质量技术监督局发 布   DB52/T 860—2013 目次 前言 ................................................................................ II 1范围 .............................................................................. 1 2规范性引用文件 .................................................................... 1 3符号和型号命名 .................................................................... 1 4技术要求 .......................................................................... 1 5质量一致性检验 .................................................................... 3 6标志 .............................................................................. 8 7订货资料 .......................................................................... 9 8包装、贮存和运输 .................................................................. 9 9使用注意事项 ...................................................................... 9 附录A（规范性附录）最大箝位电压VCmax的测试方法................................... 11 I   DB52/T 860—2013 前言 本标准按GB/T 1.1—2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。 请注意：本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司提出。 本标准由贵州质量技术监督局归口。 本标准起草单位：贵州省机械电子产品质量监督检验院、中国振华集团永光电子有限公司。 本标准主要起草人：邹盛琳、江涛、唐文斌、曹珩、孟勤、章俊华、龚洪宾、李钢、杨朝辉、易晶 晶。 本标准附录A是规范性附录。 本标准首次发布。 II