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实现对美日企业赶超 韩国内存半导体产业利用“政企合作”模式，通过在资金、技术和人 才方面的有效运营实现了对美日先进企业从落后、同时到领先的跨越式发 展。“政企合作”模式的突出特点为：在资金上，立法减税，政府托底，政 府、财团投入不计成本；在技术上，政府统筹、企业合作，从引进、消化 到创新不择手段；在人才上，拼搏进取、储才立业，形成业务增长长期动 力
存储器半导体产业特点鲜明，韩国模式取得成功正是对其特点的对症 下药：首先，DRAM产业资金投入密集、产品通用性强，韩国模式能够保 证资金投入，敢于快速投产形成规模优势；其次，DRAM产业行业周期性 显著，韩国模式利用行业严冬期“逆周期投资”，既能穿越行业周期，又能 缩小技术差距；最后，DRAM产业技术革新快速，产品寿命周期短，不断 快速开发新世代产品成为必然，唯有大企业有能力持续投入创新，韩国模 式通过政府政策对大企业定向导流资金，参与强者之争
对比今之中国与昔之韩国半导体产业发展，中韩半导体之“同”：国家 意志所指、产业底牌相似；中韩半导体之“异”：中韩体量有异、产业竞争 格局不同、行业周期性削弱、存储器行业从DRAM的竞争加入了Flash的 竞争。以史为鉴，中国半导体产业正迎来3个历史性机遇：首先，全球半 导体产业区域结构调整波及中国；其次，政府大力扶持，政策环境有利； 最后，新应用领域的丰富和3D Flash等新工艺的出现有利于中国存储器半 导体产业实现弯道超车。推荐与武汉新芯战略合作的华天科技、半导体上 游耗材供应商天华超净，同时建议关注上海新阳、南大光电、太极实业、 长电科技、晶方科技、深科技
下游需求不及预期；技术更新换代风险
重点公司盈利预测： Table_Excel1 公司简称评级股价 EPS PE PB 11A 12E 13E 11A 12E 13E 数据来源：公司财务报表，广发证券发展研究中心 Table_Grade 行业评级买入 前次评级买入 报告日期2016-03-22 Table_Chart 相对市场表现 Table_Author 分析师：许兴军 S0260514050002 021-60750532 xxj3@gf Table_Report 相关研究： 电子行业周观点:看完CES， 我们还能看什么 2016-01-11 电子行业2016年度投资策略:
后存量、大格局、新蓝海 2015-12-13 电子行业:量子通信：国家信息 安全之“盾”已不遥远 2015-12-13 Table_Contacter 联系人：王亮021-60750632 gzwangliang@gf -20% 21% 62% 103% 2015-022015-062015-102016-02 电子沪深300 识别风险，发现价值请务必阅读末页的免责声明 2/22 行业深度|电子 目录索引 韩国存储芯片行业：生于草莽，廿载封王..4 韩国：执全球存储器半导体工业之牛耳.........5 产业生于毫末，竟成当先良驹6 廿载累土成存储器九层之台，政企合力铸三星万亿帝国....7 “政企合作”：韩国内存半导体赶超秘笈..........7 资本开路，以资金换时间.......7 技术突破，从消化到创新.......9 储才立业，成三星十载宏图..11 内存产业特点鲜明，韩国模式精准打击....12 产业基因1：资本密集投入，产品广泛通用.12 产业基因2：行业周期性显著，天堂地狱转瞬切换..13 产业基因3：技术革新速度快，产品寿命周期短......14 以史为鉴，问中国半导体东风何在？.......15 中韩存储芯片产业赶超之“同”：大势所趋、底牌相似........15 中韩存储芯片产业赶超之“异”：国情差异、产业变迁...........16 中国半导体产业东风何在？..17 风险提示...1 8附录：.......19 智能手机与SSD等领域带动NAND FLASH需求......19 持续的并购并未导致产业整合，NAND FLASH市场相对分散...........19 MEMORY产业由IDM厂商主导.........20 识别风险，发现价值请务必阅读末页的免责声明 3/22 行业深度|电子 图表索引 图1：2014年度全球营收前10大半导体厂商.......5 图2：2014年度全球营收前10大半导体厂商市占率........5 图3：DRAM在存储芯片市场具有基石性地位.......6 图4：DRAM市场份额中中韩国厂商具备统治性优势........6 图5：几代存储器产品投产时间.....6 图6：韩国半导体DRAM技术与美、日差距的变化..........6 图7：半导体产业发展的三大要素..7 图8：韩国半导体产业发展战略.....7 图9：三星电子长期保持着高昂资本投入... 8图10：政府的“推动”贯穿韩国的半导体发展.....9 图11：相比于资本周期性投入，研发费用则保持了长期快速增加..........10 图12：韩国政府通过整合资源帮助韩国DRAM技术快速赶超进步........10 图13：半导体工业常年处于高资本支出状态.......12 图14：行业低潮期往往伴随着行业整合和企业破产出局.13 图15：“逆周期投资”是三星长期坚持的资本投入战略...13 图16：韩国半导体工业在赶超时期面临的是一个技术快速更迭的DRAM市场..14 图17：中国政府出台一系列措施扶持半导体产业发展....15 图18：多年行业洗牌，DRAM厂商数量已经大幅减少....16 图19：中国资本拉开海外并购大幕..........17 图20：NAND厂商总营收（不包括SanDisk）..19 图21：NAND Flash下游应用分类..........19 图22：NAND产业变迁：相对平稳的历史波动...19 图23：全球Flash晶圆产量近两年来呈现明显上升趋势20 图24：近几年来NAND市场发生的主要并购......20 图25：NAND Flash市场份额（不包括SanDisk）.......20 图26：Memory产业中IDM厂商占主导地位......20 图27：Memory厂商的合作与外包策略..21 图28：全球主要Memory封测企业概况.21 淘宝店铺 “Vivian研报” 收集整理 获取最新报告及后续更新服务请淘宝搜索“Vivian研报” 识别风险，发现价值请务必阅读末页的免责声明 4/22 行业深度|电子 研究逻辑 国家存储器基地落地武汉，总投资240亿美元！存储器行业又一重磅新闻：由“大 基金”、湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团共同出 资，武汉新芯新建内存晶圆厂将于本月28日启动修建，目标最快在2018年初开始生 产内存芯片，初期规划将以目前最先进的3D-NAND Flash切入高增长性的闪存存储 产业，规划的新厂产能为长期20万片
从国家层面看，存储芯片占整个半导体产业产值的22%、晶圆产能和资本支出 的近1/3。而我国庞大的存储器需求市场几乎完全依赖进口，已成为我国半导体产业 受外部制约最严重的基础产品之一，布局储存器已成为我国半导体发展大战略中势 在必行的一步
从产业层面看，韩国凭借资金推动+“政企合作”模式在DRAM时代通过政府政 策对大企业定向导流资金，参与强者之争，形成今日DRAM行业垄断格局。当前在 中国同样在国家意志强力推进的大背景下，存储器产业所面临的机遇更多在于市场 相对分散且快速成长、技术更新快的Flash之中
由于中国储存芯片所处环境与韩国80年代有着许多“同”与“不同”，我们推出关 于存储芯片行业第二篇专题报告，从研究韩国模式成在何因出发，探索中国机遇途 归何处，以供投资者参考
对比今之中国与昔之韩国半导体产业发展，中韩半导体之“同”：国家意志所 指、产业底牌相似；中韩半导体之“异”：中韩体量有异、产业竞争格局不同、行 业周期性削弱、存储器行业从DRAM的竞争加入了Flash的竞争。以史为鉴，中国半 导体产业正迎来3个历史性机遇：首先，全球半导体产业区域结构调整波及中国；其 次，政府大力扶持，政策环境有利；最后，新应用领域的丰富和3D Flash等新工艺 的出现有利于中国存储器半导体产业实现弯道超车
推荐与武汉新芯战略合作的华天科技、半导体上游耗材供应商天华超净，同时 建议关注上海新阳、南大光电、太极实业、长电科技、晶方科技、深科技。
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