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近年，引进国外技术生产和合资企业生产的真空断路器较多，包括有ABB公司的VD4系列，西门子公司的3AF、3AG、3AH3、3AH 5系列，东芝公司的VK系列，Alstom公司的HVX型，以及引进比利时EIB公司、荷兰HOIEC公司的产品等。世界上生产真空断路器的大公司差不多在中国都有合资或合作企业。
在消化、吸收国外先进技术的基础上，国内主要生产真空断路器的厂家也很快发展出一批性能先进，适合我国国情，适应我国工艺条件的新一代真空断路器：西安高压电器研究所与其他单位联合研制的ZN28-12系列，额定电流1 250～4 000 A，额定开断电流20～63 kA；西安高压电器研究所与厦门华电开关有限公司联合开发的ZN96-12系列固封极柱式真空断路器，配模块化弹簧操动机构，其技术参数与制造水平已处于国际同类产品的先进行列，是我国12 kV级新一代真空断路器的代表；天水长城开关厂的ZN90-40.5型、福州天宇电器股份有限公司的ZN91-40.5型都是近年来推出的技术先进、全组装式的户内小型化产品。
近年来户外真空断路器也得到可喜的发展，除ZW6-12、ZW7-12、ZW8-12等型外，新产品不断推出，如中国电力科学研究院高压开关所研制的ZW32-12型、ZW□-40.5型，北京北开电气股份有限公司研制的单断口ZW35-72.5型、ZW36-126型（采用日本明电舍公司的真空灭弧室，连续开断40 kA短路电流20次不检修，机械寿命10 000次，已处于国际同类产品的先进水平）。
第二节近年中国真空断路器发展的特点
真空断路器以具备良好的灭弧特性,适宜频繁操作,电气寿命长、运行可靠性高、不检修周期长的优势,在当今我国电力工业城乡电网改造、化工、冶金、-铁道电气化以及矿山等行业得到了广泛的应用。产品从过去的ZN1-ZN5几个品种到现在数十个型号、品种,额定电流达到4000A,开断电流达到5OKA,甚至有63kA,电压达到35kV等级。
通过对近年我国真空断路器行业的调查发现，我国真空断路器的发展具有以下特点：
（一）真空断路器在我国中压开关领域内居于主导地位。特别是12KV真空断路器市场更是呈现快速增长的势头。根据我们的调查发现，2005年，12KV真空断路器在该电压等级断路器中的比例为97.33%，2006年达到97.9%。而这一数据在2007年达到98%；2005年，40.5KV真空断路器在该电压等级断路器中的比例为74.62%，2006年达到77.95%，2007年更是达到了81.21%。
（二）真空断路器的自主研发力度逐步加强。近年来，我国真空断路器行业积极借鉴国外先进企业的技术和管理经验，加大企业技术创新力度。在真空断路器行业，我国已经处于世界较为先进的水平上。
（三）行业的合资并购力度加大。跨国公司面对市场上发展最快的中国市场，加快了本土化进程，寻找本土的战略合作伙伴，或并购或合资，以占领市场的最大份额。在真空断路器行业，从2006年初的施耐德电器收购宝光股份开始，到东芝公司正式控股华光。外企、国企、民企的资本博弈，改变着真空断路器行业原有的市场格局。
第三节中国真空断路器在全球的地位
我国在12kV级，曾是少油断路器的王国，从1992年起电力部门推广使用真空断路器，仅过了10年，我国已从少油断路器王国变成真空断路器的王国。从世界上看，我国已进入真空断路器打过的行列。
全球真空断路器（12KV、40.5KV）每年的需求量约为70-80万台，按照3万元人民币的平均价格计算,年市场规模约为180-210亿元，根据电器工业协会的统计数据显示，2006年我国真空断路器的产量为347295台，而根据我们最新的调查结果显示，2007年我国真空断路器的产量为394582台，真全球需求总量的50%左右。由此可见，我国真空断路器在全球占据着重要的地位。
另外，真空断路器的核心部件真空管（真空灭弧室）的全球年产量大约为180-210万只，国外生产厂家主要是伊顿电器（全球生产30万只）、ABB（全部供自己配套使用，全球产量20万只左右）、西门子以及日本的企业等。施耐德在并购宝光之前一直没有自己的真空管产品。而我国的宝光公司在全球真空管的市场份额为10%左右，全球排名第二。从另一方面说明了我国真空断路器在全球中的重要地位。
第四节中国真空断路器发展趋势
近几年，真空断路器有了很大的发展，这得益于真空断路器技术的进步。真空断路器技术的进步表现在大容量化、低过电压化、智能化和小型化。而这一进步又是由于真空技术、灭弧室技术的发展及采用新工艺、新材料及新操动技术的结果。根据我国近几年真空断路器行业的发展情况，我们预计真空断路器行业将沿着以下趋势发展：
（一）大容量化。真空断路器的容量已有很大的提高，完全能满足电力发展的需要。目前，真空断路器的额定电流已达4000A，额定短路开断电流已高达12kV下63～70kA。东芝公司在实验室试制200kA。真空断路器迈向大容量化，首先是由于触头结构的改进。触头结构的改进经历了平板触头——横磁场触头——纵磁场触头。平板触头的开断电流在8kA以下，横磁
